光刻胶是集成电路芯片大规模制造的关键材料。然而，较低的光/电子能量转换效率严重限制了光刻胶的产量。硫醇-烯反应作为一种光引发的自由基加成反应，由于其极高的效率，在化学领域被广泛称为点击化学。清华大学核能与新能源技术研究院新型能源与材料化学团队介绍了一种利用快速硫醇-烯点击化学实现超高效纳米制造的点击光刻策略。这种通过实现超高功能性材料设计而促进的新方法能够在极低的深紫外暴露剂量（例如7.5 mJ cm–2）下对含金属纳米团簇进行高对比度成像，这与传统的光刻胶体系相比所需曝光剂量低10-20倍。同时，使用电子束光刻也在低剂量下获得了45nm的密集图形，揭示了这种方法在高分辨率图形化中的巨大潜力。该研究结果展示了点击光刻的高灵敏度和高分辨率特性，为未来的光刻设计提供了灵感。上述研究成果以Exceptional Light Sensitivity by Thiol–Ene Click Lithography为题发表在Journal of the American Chemical Society上。论文的共同通讯作者为清华大学核能与新能源技术研究院新型能源与材料化学实验室徐宏副教授和何向明研究员，第一作者为清华大学博士后王倩倩。

数据概览

光刻策略示意图

点击光刻结果

论文链接：

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.2c11887

本文参考内容：

https://www.tsinghua.edu.cn/info/1175/106918.htm

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